Сотрудники Института физики полупроводников имени Ржанова СО РАН создали флеш-накопитель на основе мультиграфена. По заявлениям разработчиков, устройство не имеет аналогов в мире по скорости передачи информации. Принцип действия флеш-памяти основан на впрыскивании и хранении электрического заряда в мультиграфене (многослойный высокотехнологичный материал), что удваивает, иногда даже утраивает ее быстродействие.
На данном этапе физики занимаются только фундаментальными исследованиями. Опытные образцы суперфлешки уже изготовлены, однако запуск устройства в серийное производство пока не предполагается, ведь для этого необходимо построить завод. Предприятие должно быть оснащено современным оборудованием и может обойтись инвесторам примерно в $5 млн. Отметим, что в России производством флешек не занимается ни одна компания.
На данном этапе физики занимаются только фундаментальными исследованиями. Опытные образцы суперфлешки уже изготовлены, однако запуск устройства в серийное производство пока не предполагается, ведь для этого необходимо построить завод. Предприятие должно быть оснащено современным оборудованием и может обойтись инвесторам примерно в $5 млн. Отметим, что в России производством флешек не занимается ни одна компания.